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A revista Inovação Tecnológica - 11/07/2014 trás esta
noticia.
Pós-silício
A IBM anunciou um plano de investimento de US$ 3
bilhões nos próximos 5 anos em dois amplos
programas de pesquisa e desenvolvimento para
superar os gargalos com que a indústria eletrônica
está se defrontando.
O objetivo é fazer a tecnologia do silício chegar ao
limite da miniaturização, e depois partir para novos
campos.
O primeiro programa visa atingir a escala dos 7
nanômetros - a dimensão dos transistores que
compõem os processadores.
Além de um chip de grafeno, a IBM apresentou recentemente protótipos de um chip de nanotubos de carbono, umprocessador que troca dados por luz e avanços rumos ao computador quântico.[Imagem: Shu-Jen Han et al./Nature Communications]
A segunda será focada no desenvolvimento de
tecnologias alternativas para uma era pós-silício,
usando abordagens inteiramente diferentes, das
quais não será possível escapar por causa das
limitações físicas dos semicondutores de silício.
Tecnologia dos 7 nanômetros e além
Os especialistas preveem que, embora restem
muitos desafios a vencer, os semicondutores de
silício deverão superar a atual escala dos 22
nanômetros, passar pelos 14 e atingir os 10
nanômetros nos próximos anos.
No entanto, chegar à escala de 7 nanômetros até o
final da década demandará investimentos que
crescerão exponencialmente, exigindo não apenas
novas arquiteturas de semicondutores, mas
também a invenção de novas ferramentas e técnicas
para sua fabricação.
"A questão não é se vamos introduzir a tecnologia de
7 nanômetros nas linhas de produção, mas sim
como, quando e a que custo?" disse John Kelly, da
IBM Research.
Ponte para a era pós-silício
Os transistores de silício são a base da atual
tecnologia, mas eles estão se aproximando de um
ponto de limitação física, quando a miniaturização se
torna virtualmente impossível.
As dimensões cada vez menores, agora já na
nanoescala, impedirão qualquer ganho de
desempenho, devido à natureza do silício e as
próprias leis da física - a partir de um determinado
ponto, quem manda são as leis da mecânica
quântica.
Além dos 7 nanômetros, os desafios aumentam
drasticamente, o que irá requer um novo tipo de
material.
Segundo a empresa, as alternativas potenciais ao
silício incluem novos materiais - como nanotubos de
carbono ou grafeno - e abordagens computacionais
não tradicionais - como a computação
neuromórfica, a computação cognitiva e técnicas de
aprendizado de máquina.
Durante o programa de investimentos, a IBM
planeja
reforçar as pesquisas em tecnologias de computação
quântica, computação neurossináptica, fotônica
http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/not
icia.php?artigo=ibm-anuncia-era-pos-
silicio&id=010150140711&ebol=sim#.U8QJo5RdXSk
Veja também, publicado na edição de 11/06/2014.
Intel rende-se à molibdenita rumo à era pós-silício
Estrutura do semicondutor dissulfeto de molibdênio, que é particularmente promissor para a fabricação de componentes eletrônicos ultraminiaturizados, além de telas flexíveis e transparentes.[Imagem: Purdue University photo/Lingming Yang]
Vale do Molibdênio
A molibdenita, um óxido de molibdênio com apenas
um átomo de espessura, vem superando
rapidamente seu correlato de carbono bem mais
famoso, o grafeno.
Não há mais dúvidas de que a molibdenita saiu na
ela foi usada para construir células solares ou LEDs-
um captura, enquanto o outro emite luz -,
uma memória flash, um sensor fotográfico
Em maio do ano passado, a IBM já havia
Agora foi a vez da Intel anunciar os resultados de
um desenvolvimento para "potencialmente substituir
o silício nos futuros chips de computador", segundo
a empresa.
O trabalho foi realizado por um consórcio que reúne
também a fabricante de semicondutores Sematech e
a equipe do professor Peide Ye, da Universidade
Purdue, nos Estados Unidos.
Dissulfeto de molibdênio
A equipe conseguiu fabricar componentes em uma
camada "bidimensional" do semicondutor dissulfeto
de molibdênio - uma camada monoatômica de
molibdênio ensanduichada entre duas camadas
monoatômicas de sulfeto.
Esse material vem sendo estudado por várias
equipes ao redor do mundo, mas até agora havia
um problema para seu uso prático: uma forte
resistência elétrica entre os contatos metálicos e as
camadas monoatômicas do material.
Essa "resistência de contato" limita o fluxo de
corrente entre a fiação interna do chip e os
transistores de molibdênio, reduzindo o desempenho
geral.
A equipe do Professor Peide Ye descobriu a solução
dopando as camadas bidimensionais com moléculas
de um composto químico chamado DCE (1,2
dicloroetano).
A dopagem - um processo largamente utilizado
desde os primórdios da indústria eletrônica -
resultou em uma redução de 10 vezes na resistência
de contato e uma redução de 100 vezes na
resistividade de contato, outra medida de
resistência.
"É inerentemente difícil dopar uma única camada
atômica," disse Ye. "É muito mais difícil do que
dopar o silício em blocos para fazer os componentes
semicondutores convencionais. Eu acredito que um
importante fator para alcançar isso foi a colaboração
entre a academia, a Intel e a Sematech."
http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/not
icia.php?artigo=intel-molibdenita-era-pos-
silicio&id=010110140611
Fonte:
J.A.
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